特許

J-GLOBAL ID：200903092772698868

半導体装置とその製造方法

発明者： 新井 隆 ,  山田 裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253374
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098117
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 第2の高濃度ソース・ドレイン領域を形成することにより、ゲート間の共通拡散領域の直列抵抗の増大を防止し、且つサイドウォールスペーサに要する寸法マージンを減じる。【解決手段】 LOCOS酸化膜で囲まれた活性領域表面にゲート酸化膜3を形成し、その上にゲート電極4を形成する。ゲート電極をマスクとしたイオン注入によりN-ソース・ドレイン領域を形成する。再度レジストマスクで被覆し、隣接するゲート電極4間の共通領域9にのみ選択的に第2のN+ソース・ドレイン領域8を形成する。ゲート電極4の側壁にスペーサ5を形成し、スペーサ5をマスクとしたイオン注入によりN+ソース・ドレイン領域を形成する。これにより、ゲート電極4間がスペーサ5で埋没された時の、共通領域9の直列抵抗の増大を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ほぼ平行に延在する少なくとも2本のゲート電極と、前記2本のゲート電極の間に位置し両者に共通の領域となる第1のソース・ドレイン領域と、前記第1のソース・ドレイン領域と対になる第2のソース・ドレイン領域と、前記ゲート電極の側壁に形成したスペーサとを具備する半導体装置であって、、少なくとも前記第1のソース・ドレイン領域には、前記ゲート電極をマスクとするイオン注入により前記第2のソース・ドレイン領域より高濃度の不純物がイオン注入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 L