特許
J-GLOBAL ID：200903092776135868
III族元素の窒化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259158
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 アンモニアを比較的低温で効率よく分解し、もって効率よく窒化膜を形成する。【構成】 加熱したGaAs基板の表面をGa飽和面とする。アルミナファイバーを充填したクラッキングセルを300〜550°Cに加熱し、アンモニアガスを通過させる。アルミナファイバーを触媒としてクラッキングされたアンモニアガスがGa飽和面のGaと反応してGaN膜が形成される。
請求項（抜粋）：
III族元素及びアンモニアガスを原料として基板上にIII族元素の窒化膜を結晶成長させるIII族元素の窒化膜の形成方法において、アルミナを充填したクラッキングセルを所定温度に加熱し、該クラッキングセルに前記アンモニアガスを通してクラッキングした分解種を基板上のIII族半導体元素と反応させるようにしたことを特徴とするIII族元素の窒化膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318
, C23C 16/34
, C30B 25/14
, H01L 21/20
, H01L 21/205
