特許
J-GLOBAL ID：200903092781164590

半導体装置およびその製造方法

発明者：
村上 隆昭

村上 隆昭 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003633
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203923
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン耐圧を向上させ、トランジスタの負荷曲線の動作範囲を大きくとることにより、半導体増幅器として用いた場合の出力や効率を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する【解決手段】 ドレイン領域3が、相対的に不純物濃度が低いN-型の低濃度不純物領域4aと、低濃度不純物領域4aと同じ導電型であって相対的に不純物濃度が高いN+型の高濃度不純物領域4bとを含み、N+型の高濃度不純物領域4bが素子分離絶縁膜5のいずれの部分とも接しないように形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側に形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記ゲート電極、前記ソース領域および前記ドレイン領域を含むトランジスタを構成する素子形成領域を囲むように配置された素子分離絶縁膜と備え、前記ドレイン領域は、相対的に不純物濃度が低い第1導電型の低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域と同じ導電型であって相対的に不純物濃度が高い第1導電型の高濃度不純物領域とを含み、前記第1導電型の高濃度不純物領域が前記素子分離絶縁膜のいずれの部分からも所定の距離以上離れて形成された、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (22件)：
5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG37 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH02 ,  5F140BH12 ,  5F140BH14 ,  5F140BH30 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB10 ,  5F140CD09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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