特許

J-GLOBAL ID：200903092782832635

半導体装置の製造方法

発明者： 佐保 典英 ,  平澤 茂樹 ,  磯上 尚志 ,  森田 穣
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270845
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111720
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、溝内に構成される配線の電気抵抗値を一様にし均一な特性を得る半導体装置を提供することにある。【解決手段】上記目的は、超伝導磁石や磁性金属網等を用いて、前記金属分子を溝底部方向に移動させる磁気力を前記金属分子に作用させることにより達成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の溝内に前記溝縁にある配線用金属膜を加熱手段により加熱し、前記溝内に流動せしめる半導体装置の製造方法において、前記金属膜が前記溝内に流動せしめる方向に、磁場発生手段により直接もしくは磁気勾配発生手段を介して磁気勾配を前記半導体基板表面を含む空間に発生せしめることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 14/22 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/88 K ,  C23C 14/22 Z ,  H01L 21/203 S