特許

J-GLOBAL ID：200903092810058916

加熱処理方法及び加熱処理装置

発明者： 戸島 孝之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091218
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 基板を異なる温度で2段階に加熱処理する場合に,スペースの縮小化,搬送装置の負担軽減化,スループットの向上を図る。【解決手段】 本体70内にウェハWを90°Cに加熱処理する上側加熱板71と,ウェハWを270°Cで加熱処理する下側加熱板72と,ウェハWを支持した状態で昇降自在な昇降ピン80とを備える。昇降ピン80を上昇させることにより上側加熱板71に近づけたウェハWを一旦90°Cで加熱処理する。その後,昇降ピン80を下降させて下側加熱板72のプロキシミティピン81に支持させたウェハWを270°Cで加熱処理する。

請求項（抜粋）：

基板を異なる処理温度で2段階に加熱する方法において,基板の下側に位置する低温側の加熱板に当該基板を近づけて加熱する第1の工程と,その後,基板の上側に位置する高温側の加熱板に前記基板を近づけて加熱する第2の工程と,を有することを特徴とする,加熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/30 567 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/68 N

Fターム (21件)：

2H096AA25 ,  2H096GB03 ,  2H096GB05 ,  2H096GB07 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA47 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031MA26 ,  5F031MA27 ,  5F031MA30 ,  5F031NA02 ,  5F031NA04 ,  5F046KA04 ,  5F046KA05 ,  5F046KA07