特許
J-GLOBAL ID：200903092811100274
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077477
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274562
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 電極の半導体層への密着性向上、オーミック特性の改善、薄膜金属と透明電極の組み含わせによる外部量子効率の改善を実現することができる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 パラジウム(Pd)、スカンジウム(Sc)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、銅(Cu)のいずれか元素からなる金属層と、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)のいずれかの元素からなる金属層とを積層することにより付着強度が高く、接触抵抗の低い電極を有する半導体発光素子を提供することができる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に接触し、パラジウム(Pd)、スカンジウム(Sc)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、コバルト(Co)、銅(Cu)よりなる群から選択された少なくともいずれか元素を主成分とした金属層と、を備え、前記金属層は、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、白金(Pt)よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素をさらに含有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
