光半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉武賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100930
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299690
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】製造コストの低減、製造時間の短縮、及び発光効率の低下防止が可能な光半導体装置を提供する。【解決手段】発光層12、13を有する発光素子の基板13側において、光が通過する部分にエッチングにより凹部14が形成されている。半導体基板13の表面上にコンタクト層、上部電極15が形成され、この表面上にレンズ21が形成されたレンズ部20が接着剤等によって接合される。従来のように基板にエッチングによりレンズを形成する替わりに、予め形成したレンズ部20を接合することで、製造コスト及び製造時間が縮小される。また半導体基板13の光の通過部分に凹部14が形成されているため、外囲器に実装した場合に発光層11、12に応力が印加されず、発光効率の低下が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方に形成された発光層と、前記発光層に形成された電流拡散層を含む半導体層とを有し、前記半導体基板の他方の表面部分に凹部が形成された光半導体素子と、前記半導体基板の他方の表面上に接合され、前記発光層から出射された光を集光するレンズを含むレンズ部と、を備えることを特徴とする光半導体装置。

FI (2件)：

H01L 33/00 M , H01L 33/00 A

Fターム (7件)：

5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041CA12 , 5F041CA35 , 5F041CB04 , 5F041CB15 , 5F041EE17

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭64-059970
特開平2-087687
特開昭63-301574

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