特許

J-GLOBAL ID：200903092812713466

半導体発光素子

発明者： 八木 克己 ,  狩野 隆司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064910
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 転位の発生が防止された半導体発光素子を提供することである。【構成】 n-SiC基板1上に、n-SiCクラッド層2、In1-x Gax N活性層3およびp-SiCクラッド層4が順に形成される。n-SiC基板1の材料としては、2H-SiC、4H-SiCまたは6H-SiCを用いる。In1-x Gax N活性層3におけるGa組成Xは、In1-x Gax N活性層13のバンドギャップがn-SiCクラッド層12およびp-SiCクラッド層14のバンドギャップよりも小さくなるように設定される。

請求項（抜粋）：

SiC基板上にSiCからなる第1のクラッド層、InGaNからなる活性層およびSiCからなる第2のクラッド層が順に形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-177577
  
• 特開昭58-046686
  
• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-131490   出願人：株式会社東芝