特許

J-GLOBAL ID：200903092821093462

LDMOS・FET

発明者： 石黒 毅 ,  鈴木 正隆 ,  張 基松
出願人/特許権者： 日本モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302903
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】〔目的〕 素子の横幅を増加させることなく、ソース・ドレイン間の耐圧を低下させることもなく小さなオン抵抗を有するLDMOS・FETを提供する。〔構成〕 熱拡散によって形成されたチャネル形成拡散層(11)によってゲート酸化膜(14)の直下の基板(10)表面にチャネル領域が形成され、このチャネル領域を介在させてソース拡散層(12)とドレイン拡散層(13)が形成されている。ソース拡散層(12)とドレイン拡散層(13)のそれぞれの内部の基板表面側には、各拡散層と同一伝導型でより高不純物密度の表面拡散層(12’,13 ’) が形成されている。

請求項（抜粋）：

ゲート酸化膜の直下の基板表面に不純物の熱拡散によってチャネル領域が形成され、このチャネル領域を介在させて基板表面近傍にソース拡散層とドレイン拡散層とが形成されたLDMOS・FETにおいて、前記ソース拡散層とドレイン拡散層のそれぞれの内部の基板表面側に、各拡散層と同一導伝型でより高い不純物濃度の表面拡散層が形成されたことを特徴とするLDMOS・FET。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-273165
  
• 特開平4-273165
  
• 特開平2-198174
  
• 特開平1-094667