特許

J-GLOBAL ID：200903092821105894

ポスト・エッチ・フォトレジストおよび残留物の除去法

発明者： カルロ ヴォルトフリート ,  テレサ ホープ バウサム ,  イワン ルイス ベリー 3世
出願人/特許権者： アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096545
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313280
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するための改良されたプラズマアッシングプロセスを提供すること。【解決手段】 a.フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物をその上に有する基板を反応チャンバ中に配置し、b.CHF3をその一成分として含むプラズマガス組成物を添加することによって反応性化学種を形成し、c.その反応性化学種に、反応チャンバ中の基板の表面を暴露して、フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去する方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板15からフォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するためのプラズマアッシング方法であって、a.フォトレジストおよび/またはポスト・エッチ残留物をその上に有する少なくとも1枚の基板15を、反応チャンバ20の中に配置する段階と、b.CHF3をその一成分として含むプラズマガス組成物をプラズマに添加することによって反応性化学種を形成する段階と、c.前記反応性化学種に基板15の表面を暴露することによって、側壁ポリマー付着物を含むフォトレジストおよび/またはエッチ残留物を除去する段階を含む方法。