特許

J-GLOBAL ID：200903092824173157

透明導電積層体の製造方法

発明者： 原 寛 ,  佐々木 毅 ,  坪井 誠治 ,  谷田部 俊明
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-297946
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129427
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 良好なエッチング特性を有する透明導電積層体を与える製造方法を提供する。【解決手段】 In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いた、DCマグネトロンスパッタリング法による透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比が0.03〜0.001の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分圧比が0〜10の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒量が5重量%以下である高分子フィルムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

請求項（抜粋）：

In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いた、DCマグネトロンスパッタリング法による透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比が0.03〜0.001の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分圧比が0〜10の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒量が5重量%以下である高分子フィルムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 H

Fターム (19件)：

4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5F051BA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA04 ,  5F051GA05 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05