特許
J-GLOBAL ID：200903092824400587
円弧状型めっきセル高電流密度錫めっき方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
椎名 彊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150209
公開番号（公開出願番号）：特開平7-003493
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：
【要約】【目的】 ぶりき、薄錫めっき鋼板等電気錫めっき鋼板の製造に用いられる高電流密度の錫めっき方法の提供を目的とする。【構成】 円弧状型めっきセルと酸化抑制のための芳香族化合物を含むめっき浴との組み合わせによる高電流密度の錫めっき方法である。即ち、めっき位置で鋼ストリップ走行ラインを円弧状に曲げたセルを用いて、硫酸5〜50g/l、錫イオン40〜100g/lおよび二つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物と一つのヒドロキシ基と電子供与性置換基とを有する芳香族化合物とを4対1で混合したものを0.01〜2g/l含む液で、50A/dm2以上でめっきする方法である。
請求項（抜粋）：
電解めっき位置にて鋼ストリップ走行ラインを円弧状に曲げ、この円弧状部の内側および外側に沿って電極を配置し、該電極と鋼ストリップとの間に電解液を入れる円弧状型めっきセルを用い、硫酸5〜50g/l、二価錫イオン40〜100g/lおよび二つ以上のヒドロキシ基を有する芳香族化合物と、一つのヒドロキシ基と窒素あるいは酸素で配位した電子供与性置換基とを有する芳香族化合物とを、4対1の割合で混合した芳香族化合物0.01〜2g/lを主成分とする電解液を用い、浴温30〜70°C、電流密度50A/dm2以上で鋼ストリップ上に錫を電析させる円弧状型めっきセル高電流密度錫めっき方法。
IPC (3件)：
C25D 7/06
, C25D 3/32
, C25D 5/26
