特許

J-GLOBAL ID：200903092827639637

多重量子井戸型半導体レーザ

発明者： 佐々木 善浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152052
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】複数の量子井戸を有する多重量子井戸型半導体レーザにおいて、キャリアー、特にホールの量子井戸への注入を改善し、半導体レーザの特性を向上させる。【構成】活性層に量子サイズ効果が現れる厚さ以下の厚さをもつ複数の半導体量子井戸層と、量子井戸層の半導体より広いバンドギャップを有する複数の半導体障壁層と、障壁層の半導体より広いバンドギャップを有し屈折率が小さい半導体光導波路層を備え、前記複数の量子井戸層及び障壁層の少なくとも一つの半導体層に歪を導入することでバンドギャップを変化させ量子井戸層の半導体と障壁層の半導体バンドギャップの組み合わせが少なくても2種類以上あり、かつ、それぞれの組み合わせで量子化された電子及びホールのエネルギー差が同一である様な多重量子井戸型半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

活性層に量子サイズ効果が現れる厚さ以下の厚さをもつ複数の半導体量子井戸層と、量子井戸層の半導体より広いバンドギャップを有する複数の半導体障壁層と、障壁層の半導体と同じかそれより広いバンドギャップを有し屈折率が小さい半導体光導波路層とを備える多重量子井戸型半導体レーザにおいて、前記複数の量子井戸層及び障壁層の少なくとも一つの半導体層に歪を導入することでバンドギャップを変化させ、量子井戸層の半導体と障壁層の半導体のバンドギャップの組み合わせが少なくても2種類以上あり、かつ、それぞれの組み合わせで量子化された電子及びホールのエネルギー差が同一であることを特徴とする多重量子井戸型半導体レーザ。