特許
J-GLOBAL ID：200903092827848252
半導体装置におけるフィールド酸化膜形成方法、並びにフィールド酸化膜及びトレンチ素子分離領域形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-339208
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153779
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】シリコン半導体基板にダメージが発生することを防止でき、平坦化処理されたフィールド酸化膜の形成工程が増加することがないフィールド酸化膜形成方法を提供する。【構成】フィールド酸化膜形成方法は、(イ)シリコン半導体基板10の表面に選択酸化用マスク12を形成し、(ロ)選択酸化用マスク12で被覆されていないシリコン半導体基板10の表面を酸化してフィールド酸化膜13を形成し、(ハ)選択酸化用マスク12を研磨ストッパーとして、フィールド酸化膜13を研磨し、(ニ)選択酸化用マスク12を除去する各工程から成る。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板に選択酸化法にてフィールド酸化膜を形成する方法であって、(イ)シリコン半導体基板表面に選択酸化用マスクを形成する工程と、(ロ)該選択酸化用マスクで被覆されていないシリコン半導体基板の表面を酸化してフィールド酸化膜を形成する工程と、(ハ)該選択酸化用マスクを研磨ストッパーとして、フィールド酸化膜を研磨する工程と、(ニ)選択酸化用マスクを除去する工程、から成ることを特徴とする半導体装置におけるフィールド酸化膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/762
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/316
H01L 21/76 D
, H01L 21/94 A
