特許
J-GLOBAL ID：200903092839813748
半導体ウェハ、その製造方法および使用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240005
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127016
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル半導体ウェハを提供する。【解決手段】 前面、裏面および前面に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を有する半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層が0.13μm以下の最大局所的平坦値SFQRmaxおよび1cm2当たり散乱光中心0.14の最大密度を有し、半導体ウェハの前面がエピタキシャル層を析出する前に1μm×1μmの大きさの基準面でAFMにより測定した0.05〜0.29nmRMSの表面粗さを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
前面、裏面および前面に析出した半導体材料からなるエピタキシャル層を有する半導体ウェハにおいて、エピタキシャル層が0.13μm以下の最大局所的平坦値SFQRmaxおよび1cm2当たり散乱光中心0.14の最大密度を有し、半導体ウェハの前面がエピタキシャル層を析出する前に1μm×1μmの大きさの基準面でAFMにより測定した0.05〜0.29nmRMSの表面粗さを有することを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (5件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, C30B 29/06
H01L 21/304 621 A
, H01L 21/304 622 R
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, C30B 29/06 A
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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