シリコン酸化膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265898
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106593
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 TFT等のゲート絶縁膜等として用いられるSiO2 等の酸化膜の形成に際し、良好な酸化膜をその必要に応じて、即ち精度良くまたは効果的に、薄膜または厚膜等の所望に応じたものを形成する方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜5を形成する方法において酸化用ガスIIとして、N2O,NO、NO2 ,N2 O3 等の窒素の酸化物の少なくとも1種のガスに必要に応じO3 等を加えたものを含む酸化用ガスを用い、高密度プラズマIを用いるなどしてシリコン酸化膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜を形成する方法において、酸化用ガスとして、窒素の酸化物から成る群から任意に選ばれた少なくとも1種のガスを含む酸化用ガスを用いることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-038829
絶縁膜を形成する方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274819 出願人：株式会社ジーテイシー
特開平4-043642

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