特許

J-GLOBAL ID：200903092843017212

光半導体装置

発明者： 長田 貞雄 ,  岩元 伸行
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010023
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198835
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 光ファイバを使用し光通信を行う際に高速応答の妨げになる受光部以外への光入射を防止することができる光半導体装置を提供する。【構成】 P型の低抵抗半導体基板上にP型の高抵抗半導体領域が形成され、該高抵抗半導体領域内にN型の半導体領域よりなる受光部3が形成されている。高抵抗半導体領域の上面における受光部3の外側の領域には略全面に亘ってアルミニウムよりなる遮光層5が形成され、遮光層5における受光部3の周辺には、幅10μm以下の環状の分離領域7が形成されており、分離領域7の内側の遮光層4はアノード電極部に設定されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の低抵抗半導体基板上に第1導電型の高抵抗半導体領域が形成され、該高抵抗半導体領域内に第2導電型の半導体領域よりなる受光部が形成された光半導体装置であって、前記高抵抗半導体領域の上面における前記受光部の外側の領域には略全面に亘って非透過性材料よりなる遮光層が形成され、該遮光層における前記受光部の周辺には、該受光部を囲繞し且つ前記遮光層を内外に分離する幅10μm以下の環状の分離領域が形成されていることを特徴とする光半導体装置

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 J ,  H01L 31/02 C