特許

J-GLOBAL ID：200903092846286010

気相成長装置及び方法

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284269
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 加熱された基板に原料ガスを含むガスを供給して気相成長させる装置及び方法において、基板と平行に対向する反応管壁を汚染することがなく、繰り返して気相成長を行える気相成長装置及び方法を提供する。【解決手段】 基板に実質的に平行なガス導入部から原料ガスを含むガスを導入し、基板と平行に対向する反応管壁に配置された通気性を有する微多孔質部材から原料を含まないガスを導入することにより、反応管壁の汚染を防止する。

請求項（抜粋）：

基板を載せるためのサセプターと、該サセプターを加熱するためのヒーターと、それらを内蔵する反応管を有する半導体膜の気相成長装置において、基板に実質的に平行となるように配置された少なくとも1種の原料ガスの導入部と、基板と平行に対向する反応管壁に配置された通気性を有する微多孔質部材と、該微多孔質部材を介して反応管内へガスを導入するためのガス導入部と、を有し、該微多孔質部材を介して該反応管内に導入されるガスの流量は、前記原料ガスの上流側の方が下流側よりも小さく設定されることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

Fターム (32件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030EA06 ,  4K030JA05 ,  4K030KA09 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EE10 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF14