特許
J-GLOBAL ID：200903092846591580
薄膜多層配線基板の再生及び修正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332033
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173346
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 薄膜多層配線基板の多層膜中の欠陥の再生及び修正。【解決手段】 多層膜8にポジ型のレジストを塗布し、このレジストにホトマスク16を用いて紫外線17を照射し、該照射部分のポジ型レジストを除去することによりコンタクトホール19を形成する薄膜多層配線基板の再生及び修正方法であって、絶縁層8中に欠陥や異物20があった場合、前記レジストと逆特性のネガ型レジスト21を塗布すると共に前記ホトマスク16を位置決めし、紫外線17を照射することにより紫外線の非照射部分のネガ型レジストを除去してコンタクトホール19上に保護膜11を形成し、この保護膜11によりホール19を保護した状態で絶縁膜8を除去して再生又は修正を行う。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した多層膜にポジ型又はネガ型のレジストを塗布し、該レジストに所定部分が開口したホトマスクを用いて紫外線を照射し、この紫外線の照射部分又は非照射部分のポジ型又はネガ型のレジストを除去することにより回路パターンを形成する薄膜多層配線基板の再生及び修正方法であって、前記基板上に回路パターン形成時のレジストと逆特性のネガ型又はポジ型レジストを塗布すると共に回路パターン形成時のホトマスクを位置決めし、該ホトマスクを介して前記レジストに紫外線を照射することにより紫外線の非照射部分又は照射部分のネガ型又はポジ型レジストを除去して前記回路パターン上に保護膜を形成し、該保護膜により回路パターンを保護した状態で欠陥のある多層膜の再生又は修正を行うことを特徴とする薄膜多層配線基板の再生及び修正方法。
FI (2件)：
H05K 3/46 V
, H05K 3/46 E
