特許
J-GLOBAL ID：200903092849396444
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254074
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106255
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗の変化により情報を記憶する記憶装置において、低消費電力でありかつセンス感度の高い記憶装置の提供。又、装置の微細化が進んでも、隣接する記憶セル間で漏れ磁界によるデータの破壊が少ない記憶装置の提供。【解決手段】複数のビット線33と、複数のワード線32、33と、前記ビット線と前記ワード線とが交叉する領域でビット線33に接続され、ビット線電流或はワード線電流により引き起こされる磁界により磁気抵抗効果が起こる膜34で構成されるメモリセルからなる半導体記憶装置において、前記各ワード線32、33は、同一方向に、平行に、上下に分離され積層された複数のワード線配線層で構成され、前記複数のワード線配線層は、直列接続される。
請求項（抜粋）：
複数本のビット線と、前記ビット線と交叉すると共に、互いに直列接続する平行な複数層のワード線層からなる複数本のワード線と前記ビット線と前記ワード線の交叉する領域に形成され、前記ビット線に直列接続する磁気抵抗効果膜を備える複数のメモリセルとが備えられたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/14
, H01L 27/10 451
G11C 11/14 F
, H01L 27/10 451
