プラズマエッチング方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196055
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027485
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】損傷を与えず、マイクロローディングを用いることもなく敏感な装置を加工でき、歩留りをあげること及び酸素非含有層上にある酸素含有層のエッチングを高い選択度で達成すること。【解決手段】本発明の処理チャンバーはチャンバー内に誘導結合されたRFエネルギーによって駆動されるアンテナ30を用いる。アンテナ30はチャンバー内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするための高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。基板支持カソード32に印加される補助RFバイアスエネルギーがカソードシース電圧を制御し、また密度にかかわらずイオンエネルギーを制御する。フッ素含有エッチングガスとこのガスにガス状のシリコンあるいはカーボン源を通過させる。エッチング処理、蒸着処理およびエッチング/蒸着組合せ処理とともにさまざまな磁気および電気処理向上技術を開示する。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング方法であって、a)真空チャンバー内にプラズマを維持するための真空チャンバーを備え、b)前記チャンバー内の支持装置上に、前記プラズマによって処理されるべき物質を支持し、c)前記チャンバーにフッ素含有エッチングガスを供給し、d)前記チャンバー内に前記エッチングガスのプラズマを生成するために、前記チャンバーにRFエネルギーを結合し、且つe)処理中に、前記エッチングガスに加えて、ガス状のシリコン或いはカーボン源を通過させるステップを含むプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-015928
特開平4-094121
特開平4-237124

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