特許

J-GLOBAL ID：200903092854384799

低温薄膜トランジスタの作製方法およびトランジスタ・デバイス

発明者： アレッサンドロ・セザレ・カレガリ ,  クリストス・ディミトリオス・ディミトラコポーロス ,  サンパス・プルショサマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269515
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 デバイス構造に、無機混合酸化物のゲート絶縁体と接触する有機半導体層を使用することにより、薄膜トランジスタ(TFT)・デバイスに使用できる物質とプロセスの範囲を広げること。【解決手段】 作製方法は、半導体層の物質として有機半導体物質を用意するステップと、ゲート絶縁層の物質として無機酸化物を用意するステップと、スパッタリング、スピニング、蒸着、レーザ・アブレーションのグループから選択されるプロセスにより、基板温度約25°C乃至150°Cで、半導体層とゲート絶縁層のいずれか一方を他方に被着するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

基板上で、ゲート絶縁層に接触した少なくとも半導体層の連続被着により低温薄膜トランジスタを作製する方法であって、前記半導体層の物質として有機半導体物質を用意するステップと、前記ゲート絶縁層の物質として無機酸化物を用意するステップと、スパッタリング、スピニング、蒸着、レーザ・アブレーションのグループから選択されるプロセスにより、基板温度約25°C乃至150°Cで、前記半導体層と前記ゲート絶縁層のいずれか一方を他方に被着するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション