特許
J-GLOBAL ID：200903092861653770
薄膜トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048473
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251704
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタに関し、半導体層の反りやクラックの発生を防止することを目的とする。【構成】 基板10上に設けられたゲート12と、該ゲートを覆うゲート絶縁層14,16と、該ゲート絶縁層を介して該ゲートと対向する半導体層18とを有し、該半導体層にハロゲン類が添加されている構成とする。
請求項（抜粋）：
基板(10)上に設けられたゲート(12)と、該ゲートを覆うゲート絶縁層(14,16)と、該ゲート絶縁層を介して該ゲートと対向する半導体層(18)とを有し、該半導体層にハロゲン類が添加されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 H
, H01L 29/78 311 N
