特許

J-GLOBAL ID：200903092865696407

シリコン結晶の液相成長方法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置

発明者： 西田 彰志 ,  岩根 正晃 ,  水谷 匡希 ,  吉野 豪人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131305
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】連続成長が可能で量産性の高いシリコン結晶の液相成長法、太陽電池の製造方法及びシリコン結晶の液相成長装置を提供する。【解決手段】溶媒104に基板102を浸漬または接触させることにより、基板102上にシリコン結晶を成長させるシリコン結晶の液相成長法において、原料及び/又はドーパントを含むガスにエネルギーを付与することによりガスの少なくとも一部を分解した後に、溶媒104に供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

溶媒に基板を浸漬または接触させることにより、該基板上にシリコン結晶を成長させるシリコン結晶の液相成長法において、 原料及び/又はドーパントを含むガスにエネルギーを付与することにより前記ガスの少なくとも一部を分解した後に、前記溶媒に供給することを特徴とするシリコン結晶の液相成長方法。

IPC (4件)：

C30B29/06 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

FI (4件)：

C30B29/06 501B ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 D ,  H01L31/04 X

Fターム (44件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EB04 ,  4G077EC03 ,  4G077EC04 ,  4G077EC09 ,  4G077EG09 ,  4G077EG18 ,  4G077EG22 ,  4G077EG26 ,  4G077EH07 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA27 ,  4G077QA29 ,  4G077QA38 ,  4G077QA56 ,  4G077QA58 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB05 ,  5F053AA03 ,  5F053AA26 ,  5F053BB08 ,  5F053BB38 ,  5F053BB53 ,  5F053BB54 ,  5F053BB57 ,  5F053BB59 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05