特許
J-GLOBAL ID：200903092868035193
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251303
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104345
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 アルミ配線10,13間を接続するビアホール12に加わるストレスを緩和してストレスマイグレーションの発生を防止し、信頼性の高い多層配線構造の半導体装置を得る。【構成】 第2の層間絶縁膜11に設けられ、第2のアルミ配線13が埋め込まれた第1のビアホール12の上層に、第3の層間絶縁膜14を介して、アルミパターン24を第3のアルミ配線23と同時に形成する。
請求項（抜粋）：
複数の電極配線層が層間絶縁膜を介して形成される多層配線構造の半導体装置において、K層目の層間絶縁膜に設けられた、K層目の電極配線層のための接続孔の上層を、(K+1)層目の層間絶縁膜を介してスパッタ法で形成する導電膜で覆うようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
