特許

J-GLOBAL ID：200903092871187867

突起電極の構造および突起電極の形成方法

発明者： 山▲崎▼ 康男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090269
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】電気素子あるいは基板上に形成した突起電極の特性を改良し、フェイスダウンボンディング等に使用する際の接続信頼性を向上させる。【構成】半導体素子1のAl電極2上に金属粒子7を含んだ樹脂6を形成する。これを金属メッキ浴に浸漬し、樹脂6より突出した金属粒子7を核として金属膜8が成長する事により樹脂6上に金属膜8が形成され、同時にAl電極2上にも金属膜8が形成され、Al電極2上に樹脂6の層を含む突起電極が形成される。【効果】微細なピッチでのバンプ形成が可能であり、さらに変形が容易に行えることにより平滑な基板への実装においても確実な接続を可能とする。さらに樹脂中に金属粒子を含有させることにより金属膜の形成を容易にし、金属粒子のアンカー効果により金属膜の樹脂への密着力を向上させ、高い信頼性を半導体装置に提供できる。

請求項（抜粋）：

電気素子あるいは基板上の電極より突出した形状を持つ突起電極において、少なくとも前記電極上の一部を覆うように金属粒子を分散させた樹脂の層を形成し、前記金属粒子を含む前記樹脂と前記電極上にのみ金属被覆を形成したことを特徴とする突起電極の構造。