特許

J-GLOBAL ID：200903092873379070

半導体歪センサおよびその製造方法

発明者： 高橋 寛 ,  白川部 喜春 ,  清水 信宏
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-280809
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板で構成したカンチレバーの撓み部分にpn接合を形成し、カンチレバーの撓み量をpn接合部分でのダイオード特性の変化として検出できるようにした半導体歪センサを提供する。【解決手段】 カンチレバー10は、U字状の片持ばりアーム部10aおよび支持部10bによって構成され、片持ばりアーム部10aの先端10cにはAFM用の探針(図示せず)が設けられている。カンチレバー10はN型基板31によって構成され、そのU字状部分の内側表面にはP-拡散領域32が形成されている。P-拡散領域32とN型基板31との境界にはpn接合50が形成される。支持部10bでは、N型基板領域内にはN+コンタクト領域21が形成され、P-拡散領域32内にはP+コンタクト領域22が形成されている。

請求項（抜粋）：

自由端および固定端を有するカンチレバーと、前記カンチレバーの、自由端の変位によって応力歪が生じる領域に形成されたpn接合と、前記pn接合を形成するp型領域およびn型領域のそれぞれに形成されたコンタクト領域とを具備したことを特徴とする半導体歪センサ。

IPC (6件)：

G01B 7/16 ,  G01B 7/34 ,  G01B 21/30 ,  G01N 37/00 ,  H01J 37/28 ,  H01L 29/84

FI (6件)：

G01B 7/18 H ,  G01B 7/34 Z ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 37/00 G ,  H01J 37/28 Z ,  H01L 29/84 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭47-041785
  
• 集積型SPMセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199336   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-028628   出願人：松下電工株式会社