酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015781
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216154
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】薄い酸化膜を安定して加湿酸化法にて形成することができ、しかも、p形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にする酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子若しくは窒素分子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程と、(ハ)表面が窒化された酸化膜を熱処理する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子、窒素分子イオン、窒素原子若しくは窒素原子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程と、(ハ)表面が窒化された酸化膜を熱処理する工程、から成ることを特徴とする酸化膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , H01L 21/268 , H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/80

FI (6件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/268 E , H01L 21/318 A , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V , H01L 29/80 W

Fターム (52件)：

5F040DA00 , 5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EB12 , 5F040EC07 , 5F040ED01 , 5F040ED05 , 5F040EF02 , 5F040EH05 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040FC00 , 5F040FC05 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF55 , 5F058BF63 , 5F058BF72 , 5F058BF74 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF31 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-269254 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199333 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207956 出願人：株式会社リコー

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