特許

J-GLOBAL ID：200903092884253338

テープ・ボンディング(TAB)半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： レオ・エム・ヒギンズ・ザ・サード ,  モーリス・エス・カープマン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198616
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、温度変化を受けるTABテ-プまたはキャリア・フィルムにおいて、変形の少ないTAB半導体デバイスおよびそのデバイスを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 温度変化によるTABテ-プの変形は、熱力学リ-ドによって防ぐことが可能である。本発明の特定の実施例では、半導体デバイス(30)は、電子素子(31)およびTABテ-プを含む。そのテ-プは、キャリア・フィルム(12)およびそのキャリア・フィルム上で形成される電気リ-ド(20)を含む。電気リ-ドは、電子素子と電気的に結合する。熱力学リ-ドもまたキャリア・フィルム上に含まれ、キャリア・フィルム内の対向する領域内に形成され、従来その領域ではリ-ドがなかった。温度変化に委ねられた際にTABテ-プに生ずるストレスの分布を一様にするため、熱力学リ-ドは、電気リ-ドと近似的に等しいリ-ド・ピッチを有する。

請求項（抜粋）：

電子素子(31);およびTABテ-プ;から構成され、前記TABテ-プは:外部回路と電子素子を電気的に相互結合させる電気リ-ド(20)を支持するキャリア・フィルム(12)であって、前記電気リ-ドは所定の間隔密度を有し、前記キャリア・フィルムには前記電子素子に隣接する前記キャリア・フィルムの所定の向かい合った部分で電気リ-ドがないようにパタ-ニングされるキャリア・フィルム(12);および所定の間隔密度を有し、電気リ-ドのない前記キャリア・フィルムの所定の向かい合った部分を占有する熱力学リ-ド(32-A,B,C,D)であって、前記熱力学リ-ドは前記電子素子周囲の前記キャリア・フィルム内で一様なストレスの分布を実質的に与える熱力学リ-ド(32-A,B,C,D);を含むことを特徴とするテ-プ・ボンディング(TAB)半導体デバイス(30)。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-001247
  
• 特開平4-275443
  
• 特開平1-315150
  
• 特開昭64-005895