特許

J-GLOBAL ID：200903092884289936

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北田 秀樹 ,  清水 紀嘉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348875
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186260
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、層間絶縁膜上に形成されるAl或いはAl合金配線積層構造中のAl或いはAl合金配線が(111)に高配向するようにして、エレクトロマイグレーションに対する耐性を向上する手段を開示しようとする。【解決手段】 Al合金からなる配線膜15の下地であるバリヤ・メタル膜積層構造が絶縁膜などのアモルファス膜上に順に積層形成された少なくともTi(002)からなるバリヤ・メタル膜11及びTiN(111)からなるバリヤ・メタル膜12及びTi(002)からなるバリヤ・メタル膜13を含んでなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Al或いはAl合金からなる配線の下地であるバリヤ・メタル膜積層構造が絶縁膜などのアモルファス膜上に順に積層形成された少なくともTi(002)膜及びTiN(111)膜及びTi(002)膜を含んでなることを特徴とする半導体装置。