特許

J-GLOBAL ID：200903092889952986

高抵抗シリコンウエハ-の製造方法

発明者： 渡部 弘行 ,  滝田 政俊 ,  松村 光男 ,  松井 宏 ,  古瀬 信一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  信越半導体株式会社 ,  信越石英株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-058788
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は抵抗値が10,000Ωcm以上である高抵抗値シリコンウエハ-をMCZ 法で製造する方法の提供を目的とするものである。【構成】 本発明による高抵抗値シリコンウエハ-の製造方法は、シリコン多結晶を合成石英ガラス製ルツボ中で融解し、この融液に磁場を与え、ここにシリコン単結晶を浸漬し引上げてシリコン単結晶を作り、このシリコン単結晶をスライスして抵抗率が10,000Ωcm以上のシリコンウエハ-を得ることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

シリコン多結晶を合成石英ガラス製ルツボ中で融解し、この融液に磁場を与え、ここにシリコン種結晶を浸漬し引上げてシリコン単結晶を作り、このシリコン単結晶をスライスして抵抗率が10,000Ωcm以上のシリコンウエハ-を得ることを特徴とする高抵抗シリコンウエハ-の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-006382