特許

J-GLOBAL ID：200903092890051054

シリコンウエ-ハおよびその洗浄方法

発明者： 森田 悦郎 ,  川合 幸夫 ,  遠藤 光弘 ,  石神 俊一郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-315938
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308373
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 表面のボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを提供する。デバイス工程での悪影響を排除する。ボロン濃度を低減した自然酸化膜付きのシリコンウェーハを作製する。【解決手段】 シリコンウェーハを希フッ酸溶液で洗浄した後、オゾンを3〜10ppm含む純水中に浸漬させる。好ましくは8ppmのオゾン水(超純水を電気分解したO2を原料とする)中に15秒間浸漬させる。この結果、表面に5〜7Åの厚さの自然酸化膜を形成し、自然酸化膜中のボロン濃度を1010個/cm2以下に管理したシリコンウェーハを得る。ボロン濃度の低減により、デバイス工程での悪影響が大幅に減少する。同時にウェーハ表面の金属汚染をも低減できる。Al,Fe,Cu等の濃度を109個/cm2未満に低減できる。また、張り合わせを良好に行える。VDMOSでのon抵抗を下げることもできる。

請求項（抜粋）：

表面に5〜7Åの厚さの自然酸化膜を形成したシリコンウェーハであって、この自然酸化膜中のボロン濃度を1010個/cm2以下に管理したシリコンウェーハ。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B