特許

J-GLOBAL ID：200903092890127093

半導体装置と、半導体装置の製造方法と、半導体製造装置

発明者： 松浦 雅夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231136
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074793
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のサイズの半導体素子のサイズに対する大きさを従来よりも小さくし、半導体装置を用いた電子機器等の高密度実装化を可能にし、使用材料価格の低減を図り、半導体素子の電極引き出し経路をより短くして該経路に寄生する寄生抵抗、寄生インダクタンス等の低減を図ることにより高周波特性の改善を図り、更には、電極引き出し経路に接続劣化要因が生じないようにする。【解決手段】 半導体素子1の各電極パッド2に外部端子を成すリード6が接続されてなる。リードは半田(5)付けで接続しても良いし、アルミニウムバンプ37付きリード36を該バンプ37を介して接続するようにしても良い。

請求項（抜粋）：

半導体素子の各電極パッドに外部端子を成すリードが接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/607 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50

FI (6件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 321 V ,  H01L 21/607 A ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/50 S ,  H01L 21/92 621 A