特許
J-GLOBAL ID：200903092891772138
成膜方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381826
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282566
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器8内に処理ガスを供給して被処理体Wの表面にシリコン含有膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内に炭化水素ガスを供給する。これにより、シリコン含有膜中に炭素成分を含ませることができ、もって、比較的低温で成膜を行ってもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくして、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた処理容器内に処理ガスを供給して被処理体の表面にシリコン含有膜を形成する成膜方法において、前記処理容器内に炭化水素ガスを供給するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 16/42
, H01L 21/316
H01L 21/318 B
, C23C 16/42
, H01L 21/316 X
4K030AA09
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030JA10
, 4K030KA24
, 5F058BA08
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC08
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BF24
, 5F058BF26
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BJ02
