特許

J-GLOBAL ID：200903092891974288

表面波素子

発明者： 名古 克裕 ,  多田 裕 ,  川勝 孝治
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162069
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022898
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、主共振の横0次モードの近似関数COS<SP>- 1 </SP>(|αX|)に、縦0次モードの近似関数COS(βX)を乗じることによって、交さ幅重み付けIDT電極を構成して、高次モードの影響を減少させ、共振周波数付近のスプリアスを抑制することを目的とする。【構成】 圧電基板上に、交さ幅重み付けを施したIDT電極と、その前後に反射器電極とを、形成した表面波素子において、IDT電極の中心を原点とし、表面波の伝播方向にX軸、その垂直方向にY軸を仮定し、X軸方向のIDT電極の範囲を-X<SB>0 </SB>/2≦X≦X<SB>0 </SB>/2としたとき、IDT電極の交さ幅重み付け包絡線がY=±COS<SP>- 1 </SP>(|αX|)・COS(βX)但し、0<α≦π/X<SB>0 </SB> 0<β≦π/X<SB>0</SB>を満たすように形成されていることを特徴とする表面波素子

請求項（抜粋）：

圧電基板上に、重み付けを施したIDT電極と、その前後に反射器電極とを、形成した表面波素子において、IDT電極の中心を原点とし、表面波の伝播方向にX軸、その垂直方向にY軸を仮定し、X軸方向のIDT電極の範囲を-X<SB>0 </SB>/2≦X≦X<SB>0 </SB>/2としたとき、IDT電極の交さ幅重み付け包絡線がY=±COS<SP>- 1 </SP>(|αX|)・COS(βX)但し、0<α≦π/X<SB>0</SB>0<β≦π/X<SB>0</SB>-X<SB>0 </SB>/2はIDT電極の左端のX座標X<SB>0 </SB>/2はIDT電極の右端のX座標を満たすように形成されていることを特徴とする表面波素子。

IPC (2件)：

H03H 9/64 ,  H03H 9/145