特許

J-GLOBAL ID：200903092895418495

バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

発明者： 富永 哲美
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061970
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275633
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、バイポーラ型半導体装置の主にトランジスタ部の製法に関するもので、エミッタ部の開口の向上、ベース抵抗のばらつきの解消、エミッタ、ベース接合リークの増大の防止などを図ることを目的とする。【構成】 本発明は、ベース電極をポリシリコン膜114、酸化膜113、窒化膜112の積層膜とし、酸化膜113をサイドエッチして前記窒化膜113をひさし状とし、その下を窒化膜121で埋めるように形成し、その窒化膜121をベース電極(114,113,112)のサイドウォールとして残し、それをマスクにしてエミッタ部の開口を行なうようにしたものである。他に、ベースコンタクト部を製造過程で視認できる製法などの実施例あり。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に、第1の導電膜、第1、第2の絶縁膜を順に積層させ、該積層膜にトランジスタのエミッタ電極形成のための開口部を形成する工程、(b)前記工程で残った前記積層膜における第1の絶縁膜をサイドエッチして、前記第2の絶縁膜をひさ状にする工程、(c)少なくとも前記開口部に第3の絶縁膜を形成し、同開口部の半導体基板にトランジスタのベース層となる拡散層を形成する工程、(d)少なくとも前記第1の絶縁膜をサイドエッチした部分を、第4の絶縁膜で埋め、前記積層膜の側壁にサイドウォールを形成する工程、(e)前記サイドウォールをマスクにして、前記開口部底面の前記第3の絶縁膜を除去する工程、以上の工程を含むことを特徴とするバイポーラ型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 W