特許
J-GLOBAL ID：200903092906131592
固体撮像素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332025
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172156
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】従来のIL方式のCCDと同様な2層の転送電極構造で4相駆動方式全画素読み出しの固体撮像素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】フォトダイオードPDから信号電荷を取り出し垂直転送するための転送ゲート電極は、シリコン基板1 上のゲート絶縁膜2 において、第1層目のポリシリコン電極31(31-1,31-2)、第2層目のポリシリコン電極32(32-1,32-2)それぞれが所定ゲート長を有して接触するように形成されている。転送ゲート電極31,32は4相の転送クロックをφ1〜φ4 として、1つの画素(フォトダイオードPD)に対して、第2層目電極32-1(φ2 )→第2層目電極32-2(φ3 )→第1層目電極31-2(φ4 )→第1層目電極31-1(φ1 )の繰り返し構造である。
請求項（抜粋）：
第1層電極材、第2層電極材で構成される転送ゲート電極を有する4相駆動方式のCCD構成の固体撮像素子において、前記CCD構成における垂直転送ゲート電極構造が互いに絶縁された第1層電極-第2層電極-第2層電極-第1層電極の繰り返しで構成されることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
