被加工片に1つ以上の金属化レベルを形成するのに使用するための方法及び製造ツール構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-548908
公開番号（公開出願番号）：特表2002-515645
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】ツールセット間で最小数の被加工片転送操作を行うだけで半導体被加工片の全体的に平らな誘電体表面に1つ以上の相互接続金属化レベルを与えるための半導体製造ツール構成体及び対応する方法が開示される。

請求項（抜粋）：

被加工片の全体的に平らな誘電体表面に1つ以上の相互接続金属化レベルを与えるための製造ツール構成体において、上記平らな誘電体表面の外部にバリア層を付着し、そしてそのバリア層の外部にシード層を付着するためのフィルム付着ツールセットと、上記シード層上に相互接続線パターンを設け、そしてその相互接続線パターンを使用して形成された相互接続線金属化部分上にポストパターンを設けるためのパターン処理ツールセットと、少なくとも次の湿式処理操作、即ち上記パターン処理ツールセットによって形成された相互接続線パターン及びポストパターンに、電気化学的付着プロセスを使用して、銅の金属化を与え、上記パターン処理ツールセットにより付着された材料を除去して、相互接続線パターン及びポストパターンを形成し、そして相互接続線金属化部分により覆われていないシード層及びバリア層の部分を除去する、という操作を実行するための湿式処理ツールセットと、上記相互接続線金属化部分及びポスト金属化部分の上に誘電体層を付着し、そしてその付着された誘電体層をエッチングして、ポスト金属化部分の上方接続領域を露出させるための誘電体処理ツールセットとを備え、上記ツールセット間に10回以下の被加工片移動を使用して、相互接続線金属化部分、ポスト金属化部分及び誘電体層より成る単一金属化レベルが形成されることを特徴とする製造ツール構成体。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/304 622 , H01L 21/306 , H01L 21/768 , H01L 37/00

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X , H01L 37/00 , H01L 21/302 L , H01L 21/306 F , H01L 21/90 A

Fターム (55件)：

5F004AA14 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F004DB26 , 5F004EA23 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033KK35 , 5F033MM08 , 5F033MM11 , 5F033NN03 , 5F033NN05 , 5F033NN19 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033RR21 , 5F033SS22 , 5F043AA26 , 5F043AA29 , 5F043BB18 , 5F043BB21 , 5F043DD16 , 5F043GG03

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