特許
J-GLOBAL ID:200903092917563028

半導体装置、電子機器及び半導体装置製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾川 秀昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-354243
公開番号(公開出願番号):特開平11-186442
出願日: 1997年12月24日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 LSIチップとグランドとの間の接続距離を短く保つことで高速への対応を容易にし、しかも、簡単で作業性も良い接続構造の半導体装置等を提供する。【解決手段】 第1,第2接続導体13,23と層を同じにして接続基板21にインナーリード14形成。インナーリードの内側接続端31はLSIチップ52のグランド用ランドに接続。外側接続端34は、この接続端が露出された絶縁層の窓部分27で、そこに位置するメタルスティフナー16に接続。メタルスティフナーは前記接続基板の周囲に配置されているリードフレームリング12と接続。リードフレームリングは接続導体のうち第2の方(23)で接続基板周辺部に位置する任意のグランド用外部接続端子61に接続。
請求項(抜粋):
半導体集積回路チップ、該チップ周囲に配置されたメタルスティフナー、該スティフナー上に配置されたリードフレームリング、及び接続基板を備え、該接続基板が、外部接続端子のうちのグランド用以外のものと前記チップのランドのうちのグランド用以外のものとを繋ぐ第1の接続導体を有している半導体装置に於て、前記接続基板には、更に前記第1の接続導体と同じ層にインナーリード及び第2の接続導体が形成されており、該第2の接続導体は前記外部接続端子のうちグランド用のものと前記リードフレームリングとを接続しており、前記インナーリードの内側接続端は前記チップのグランド用ランドに接続されており、前記インナーリードの外側接続端はその位置に形成されている窓に露出され、そこで前記メタルスティフナーに接続されており、そして、該スティフナーが前記リードフレームリングと接続されていることで、前記チップのグランドが、前記インナーリード、前記メタルスティフナー、前記リードフレームリング、及び前記第1接続導体を介して前記外部接続端子のうちグランド用のものに接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311
FI (3件):
H01L 23/12 E ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/12 L

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