薄膜トランジスタアレイの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287087
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120500
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタアレイの製造方法において、大面積基板に対してイオン注入が可能なシャワー・ドーピング法を用いつつ、TFTの特性の劣化を防止して信頼性の向上を図る。【構成】基板1上に積層された島状ポリシリコン層2,ゲート絶縁膜3,ゲート電極4を被覆するマスク材を、エッチングストッパー層5及び該エッチングストッパー層5とエッチングレートが異なりイオンのドーピングを阻止するマスク層6(7)で形成し、島状ポリシリコン層2に不純物をイオンドーピング法でドーピングする際にマスク層6(7)に十分な耐熱性を確保させることが可能になるとともに、マスク層6(7)を除去する際にエッチングストッパー層5の下層に位置するゲート電極4やゲート絶縁膜3を保護する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ毎に形成された多結晶Si層にそれぞれ異なる不純物をイオンドーピング法でドーピングしてソース部及びドレイン部を形成しpチャネル型及びnチャネル型薄膜トランジスタ(以下、TFT)とする薄膜トランジスタアレイの製造方法において、基板上に各TFTに対応する多結晶Si層,ゲート絶縁膜,ゲート電極を積層形成した後に基板全面を覆うエッチングストッパー層を形成する工程と、pチャネル(nチャネル)型TFTとなる部分の前記エッチングストッパー層上に該エッチングストッパー層とエッチングレートが異なりイオンのドーピングを阻止する第1のマスク層を形成する工程と、該第1のマスク層で覆われていない多結晶Si層にnチャネル(pチャネル)型を与える不純物をイオンドープする第1のイオンドーピング工程と、前記第1のマスク層を除去する第1の除去工程と、nチャネル(pチャネル)型TFTとなる部分の前記エッチングストッパー層上にエッチングストッパー層とエッチングレートが異なりイオンのドーピングを阻止する第2のマスク層を形成する工程と、該第2のマスク層で覆われていない多結晶Si層にpチャネル(nチャネル)型を与える不純物をイオンドープする第2のイオンドーピング工程と、前記第2のマスク層を除去する第2の除去工程と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/266 , H01L 21/324 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 311 C , H01L 21/265 P , H01L 21/265 M , H01L 29/78 311 P

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