特許
J-GLOBAL ID：200903092919120794
電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197458
公開番号（公開出願番号）：特開2000-041671
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：
【要約】【課題】 尖端又はエッジの範囲に残るラッカ層を回避して、電気的に絶縁する表面範囲によって囲まれた導電性尖端又はエッジをその表面に有するマイクロ電極が製造できる、電極の製造方法。【解決手段】 基板(2)上に、少なくとも1つの尖端(3)又はエッジ(4)を有する表面構造が製造されている電極(1)の製造方法において、基板(2)に基板の表面に取付けるべき尖端(3)又はエッジ(4)に密に隣接して口を開いている供給通路(9)を持込み、この供給通路(9)を通して、尖端(3)又はエッジ(4)の所で出る、電磁及び/又は粒子ビームを照射すると、導電性物質を析出する化学品を供給し、かつこの化学品に、尖端(3)又はエッジ(4)の範囲において、電磁及び/又は粒子ビームを照射する。
請求項（抜粋）：
基板(2)上に少なくとも1つの尖端(3)又はエッジ(4)を有する表面構造が製造されている電極(1)の製造方法において、基板の表面に取付けられるべき尖端(3)又はエッジ(4)に密に隣接して口を開いている供給通路(9)を基板(2)に持込み、この供給通路(9)を通して、電磁及び/又は粒子ビームを照射すると、導電性物質、とくに金属を析出する、尖端(3)又はエッジ(4)の所で出る化学品を供給し、かつ尖端又はエッジの所で導電性物質を析出させるために化学品に、尖端(3)又はエッジ(4)の範囲において、電磁及び/又は粒子ビームを照射することを特徴とする、電極(1)の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C12N 13/00
, G01N 27/30 A
