特許

J-GLOBAL ID：200903092924200046

半導体装置及びその製造方法

発明者： 星 公弘 ,  西原 慶一 ,  日吉 道明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271261
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093916
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】半田内に発生するボイド及び半導体チップの端部下方に発生するボイドを低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板11に設けられた導体12上に、半田ペースト13を所定膜厚以上形成し、半田ペースト13上に、パワーデバイスが形成された半導体チップ14を載置する。半導体チップ14が載置された基板11をチャンバ15内に収納し、チャンバ15内を減圧する。そして、半導体チップ14の上面に力を加えて半田ペースト13に圧力を加えながら、半田ペースト13を加熱し、導体12上に半導体チップ14を半田付けする。

請求項（抜粋）：

基板に設けられた導体上に、半田ペーストを所定膜厚以上形成する工程と、前記半田ペースト上に、パワーデバイスが形成された半導体チップを載置する工程と、前記半導体チップが載置された前記基板をチャンバ内に収納し、チャンバ内を減圧する工程と、前記減圧の状態下で前記半田ペーストを加熱し、導体上に前記半導体チップを半田付けする工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (6件)：

5F047AA17 ,  5F047AB02 ,  5F047AB03 ,  5F047BA01 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16