特許

J-GLOBAL ID：200903092931842525

光電変換素子

発明者： 高田 北斗 ,  小野 好之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330079
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148491
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 所望とする変換効率に応じた、安価な光電変換素子を提供すること。【解決手段】 少なくとも受光面側透明電極、光電変換層、及び対向電極を具備する光電変換素子であって、該受光面側透明電極の厚さL(m)が、下記式(1)を満たすことを特徴とする光電変換素子である。なお、式(1)中、ρは抵抗率(Ωm)を示す。fは実効フォトン束密度損失係数(1/m)を示す。【数1】

請求項（抜粋）：

少なくとも受光面側透明電極、光電変換層、及び対向電極を具備する光電変換素子であって、該受光面側透明電極の厚さL(m)が、下記式(1)を満たすことを特徴とする光電変換素子。【数1】式(1)中、ρは抵抗率(Ωm)を示す。fは実効フォトン束密度損失係数(1/m)を示す。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

Fターム (6件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07