特許

J-GLOBAL ID：200903092932615891

バイアホールの形成方法

発明者： 田中 隆 ,  吉澤 圭史 ,  河村 奈未
出願人/特許権者： 新日鐵化学株式会社
代理人 (1件)： 成瀬 勝夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324449
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163627
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 高い信頼性を有する回路基板を提供するため、多層配線板にレーザ加工法によりブラインドホールを形成するに際し、層間に絶縁性樹脂残渣等を残すことなく、もって効率的にバイアホールを形成する方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、第1の導体層、絶縁性樹脂層及び第2の導体層が逐次に積層されてなる多層配線板の第1の導体層をエッチングにより穿孔し、次いでレーザ加工によりブラインドホールを形成し、次いでブラインドホールに導電層を形成するバイアホールの形成方法において、レーザ加工したのちソフトエッチングするバイアホールの形成方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1の導体層、絶縁性樹脂層及び第2の導体層が逐次に積層されてなる多層配線板の第1の導体層をエッチングにより穿孔し、次いでレーザ加工によりブラインドホールを形成し、次いでブラインドホールに導電層を形成するバイアホールの形成方法において、レーザ加工したのちソフトエッチングすることを特徴するバイアホールの形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H05K 3/40 Z ,  H05K 3/00 K ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 X