特許

J-GLOBAL ID：200903092933481694

放電プラズマを利用したSiO2薄膜形成方法

発明者： 西口 直樹 ,  登坂 昌久
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049443
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：

【要約】【課題】 放電プラズマを利用して形成されたSiO2 薄膜の膜厚及び膜質の経時変化を抑制した薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、シリコン系有機金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間に放電電流密度が0.01〜300mA/cm2 となるように電界を印加することにより、放電プラズマを発生させ、シリコン系有機金属化合物含有薄膜形成する際に、上記ガス雰囲気中のシリコン系有機金属化合物濃度が0.01〜0.2体積%、上記電界強度が65〜150kV/cmであることを特徴とする放電プラズマを利用したSiO2 薄膜形成方法。

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下、シリコン系有機金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間に放電電流密度が0.01〜300mA/cm2 となるように電界を印加することにより、放電プラズマを発生させ、シリコン系有機金属化合物含有薄膜形成する際に、上記ガス雰囲気中のシリコン系有機金属化合物濃度が0.01〜0.2体積%、上記電界強度が65〜150kV/cmであることを特徴とする放電プラズマを利用したSiO2 薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/515 ,  C08J 7/00 306 ,  H05H 1/24

FI (3件)：

C23C 16/515 ,  C08J 7/00 306 ,  H05H 1/24

Fターム (29件)：

4F073AA28 ,  4F073BA07 ,  4F073BA08 ,  4F073BA16 ,  4F073BA18 ,  4F073BA19 ,  4F073BA24 ,  4F073BA26 ,  4F073BB01 ,  4F073BB04 ,  4F073CA01 ,  4F073CA70 ,  4F073HA09 ,  4F073HA12 ,  4F073HA15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030GA14 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030JA14 ,  4K030JA18