特許

J-GLOBAL ID：200903092935533071

化学機械研磨方法およびそれに用いる組成物

発明者： ヴラスタ・アグネス・ブルシック ,  ウィリアム・フランシス・ランダース
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242289
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116804
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの表面を研磨する化学機械研磨組成物および方法を提供する。【解決手段】 化学機械研磨のための組成物は、半導体デバイスの表面に銅が再付着することを抑制する。抑制剤は、半導体デバイスにおいて、アルミニウム-銅合金を使用することを容易にする。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの層の表面上の、銅または銅含有合金を含む金属の化学機械研磨に用いるのに適した組成物であって、前記表面への銅の再付着を軽減する抑制剤を、銅の再付着を抑制するのに有効な量含む、ことを特徴とする組成物。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/00 108 ,  C09K 3/14 550

FI (4件)：

H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/00 108 D ,  C09K 3/14 550 Z