特許

J-GLOBAL ID：200903092936655979

プラズマCVD装置

発明者： 土居 陽 ,  中東 孝浩
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197011
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041753
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：

【要約】【目的】 成膜すべき基体へのダスト付着を従来よりも安価に、また、装置稼働率を著しく低下させないで抑制できるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 成膜室1中に配置した対向する電極部21、51間及び22、52間に原料ガスを導入し、該ガスに電圧を印加することで該ガスをプラズマ化し、電極部51、52上に配置した基体ST上に膜形成するプラズマCVD装置において、電極部21、22、51、52及びヒータ3を、成膜室内壁より内側に交換可能に配置した膜防着部材7、8、9及び10にて略全面的に囲い、防着部材7、9には基体出入用開閉部70、90を設けたプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

成膜室中に配置した対向する電極部間に原料ガスを導入し、該両電極部間に電圧を印加することで該ガスをプラズマ化し、該両電極部のうち一方に配置した基体を該プラズマに曝して該基体上に膜形成するプラズマCVD装置において、前記両電極部及び前記基体が配置される電極部に並設される基体温度制御用ヒータを、前記成膜室内壁より内側に交換可能に配置した膜防着部材にて全面的に又は略全面的に囲い、該防着部材の少なくとも一部に基体出入用開閉部を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-027569
  
• 特開平3-107481
  
• 特開平3-166362
  
• 特開平2-285067