特許

J-GLOBAL ID：200903092937179658

半導体スイッチ回路装置およびその製造方法

発明者： 浅野 哲郎 ,  榊原 幹人
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006816
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】化合物半導体スイッチ回路装置では、高周波信号がモールド樹脂を通して漏れ、アイソレーションの悪化を引き起こしていた。【解決手段】FETの周りにポストを設け、ポストに支えられたシールドメタルをFET上に設ける。FETとシールドメタルの離間距離が小さいため通常の樹脂モールドを施すと、その空間に樹脂が入り込まず、FET上が中空となる。つまり、FETと樹脂はシールドメタルにより遮蔽され、FETのIN-OUT間は誘電率の高い空気で遮蔽されるので、高周波信号の漏れを防ぐことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を設けた少なくとも1つのFETと、前記FETのソース電極またはドレイン電極に接続する少なくとも1つの入力端子、前記FETのドレイン電極またはソース電極に接続する少なくとも1つの出力端子および前記FETにDC電位を印加する端子とそれぞれ対応する電極パッドとからなる半導体スイッチ回路装置であって、 前記FETの周囲に設けたポストと、 前記ポストに支えられ、少なくとも前記FET上を実質的に覆う金属層と、 前記FETが集積化されたチップを被覆する樹脂層とを具備することを特徴とする半導体スイッチ回路装置。

IPC (9件)：

H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/02 ,  H01L23/28 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/812

FI (7件)：

H01L29/80 G ,  H01L23/02 H ,  H01L23/28 Z ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/04 M ,  H01L27/04 H ,  H01L29/80 E

Fターム (44件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109GA10 ,  5F038AV13 ,  5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA10 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048BA04 ,  5F048BA15 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048BE09 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF17 ,  5F048BG12 ,  5F102FA08 ,  5F102FA10 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM05 ,  5F102GR09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15