特許

J-GLOBAL ID：200903092938720107

半導体発光素子およびその基板

発明者： 石塚 健一
出願人/特許権者： リコー光学株式会社
代理人 (2件)： 樺山 亨 ,  本多 章悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031405
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】半導体発光素子における光取出し効率を有効に向上させる。【解決手段】半導体発光素子における半導体層を成長させる基板10の、半導体層を成長させる側の表面が、基準面Sに対して傾斜した平斜面を持つ角錐状の微小突起100を、一様な密度で、多数配列して有し、半導体層11側からの光が、微小突起100の平斜面と基準面Sとで順次全反射された後、他の微小突起の平斜面で光取出し面側へ反射されるようにした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子における半導体層を成長させる基板であって、 半導体層を成長させる側の表面が、基準面に対して傾斜した平斜面を持つ角錐状の微小突起を、一様な密度で多数配列して有し、 微小突起の平斜面は、その傾斜角が、基準面に直交的に入射する光を全反射する角に設定され、 上記半導体層側からの光が、上記微小突起の平斜面と上記基準面とで順次反射された後、上記微小突起に隣接する他の微小突起の平斜面で光取出し面側へ反射されるようにしたことを特徴とする半導体発光素子用の基板。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA46 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36