特許

J-GLOBAL ID：200903092940329385

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者： 組橋 孝生 ,  辻本 和典 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205974
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234959
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】半導体製造プロセスのドライエッチングにおいて、材料間の高選択比エッチングを実現することのできるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。【構成】上記目的は、エッチングしたい物質、エッチングしたくない物質の構成原子に合わせて入射イオンの質量を制御すること、エッチングしたい物質、エッチングしたくない物質の構成原子の質量差を大きくすること、ドライエッチング装置にホットスポット温度の測定手段及び制御手段を追加して設けることなどによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いるドライエッチング方法において、入射イオンから被エッチング材各構成原子へのエネルギー伝達効率が、入射イオンからマスク材各構成原子へのエネルギー伝達効率よりも大なること、もしくは、マスク材及び下地層各構成原子へのエネルギー伝達効率よりも大なることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-114215
  
• 特開昭60-204877
  
• 特開昭63-317683
  
• 特開昭55-028389
  
• 特開平1-231326